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IRL520中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL520
廠商型號(hào)

IRL520
功能描述

Power MOSFET
文件大小

264.26 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 20:44:00
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IRL520規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Dynamic dV/dt rating

? Repetitive avalanche rated

? Logic-level gate drive

? RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V

? 175 °C operating temperature

? Fast switching

? Ease of paralleling

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Note

* This datasheet provides information about parts that are

RoHS-compliant and / or parts that are non RoHS-compliant. For

example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.

Please see the information / tables in this datasheet for details

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost the TO-220AB contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRL520

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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