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IRL540NL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL540NL
廠商型號(hào)

IRL540NL

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

182.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-6 22:59:00

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IRL540NL規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRL540NS)

● Low-profile through-hole (IRL540NL)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL540NL

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 36A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
10054
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢價(jià)
Infineon Technologies
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IR
2016+
TO-262
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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IR/VISHAY
23+
TO-262
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
IR
2023+
TO-262
50000
原裝現(xiàn)貨
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全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
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