IRL620PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRL620PBF規(guī)格書詳情
VDSS = 200V
RDS(on) = 0.80?
ID = 5.2A
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low onresistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● Logic-Level Gate Drive
● RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V
● Fast Switching
● Ease of paralleling
● Simple Drive Requirements
● Lead-free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRL620PBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220AB |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10065 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
TO220AB |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
10+ |
TO-220AB |
5950 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-220AB |
5590 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2018+ |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
22+ |
NA |
20350 |
全新原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
