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IRLD014PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRLD014PBF
廠商型號(hào)

IRLD014PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

1.76807 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 17:15:00

IRLD014PBF規(guī)格書詳情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The 4-pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 watt.

? Dynamic dV/dt Rating

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? Logic-Level Gate Drive

? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLD014PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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