IRLI2203N中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLI2203N規(guī)格書詳情
VDSS = 30V R
DS(on) = 0.007?
ID = 61A
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Logic-Level Gate Drive
Advanced Process Technology
solated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLI2203N
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5550 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
I |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
8866 |
詢價 | |||
IR |
17+ |
TO-220F |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
35890 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220-3 整包 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 | |||
IR |
1923+ |
TO-220F |
5000 |
正品原裝品質(zhì)假一賠十 |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-220-3 |
28957 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 |
