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IRLIZ24G_V01

Power MOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcomplianc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ24G_V01

PowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多IRLIZ24G_V01供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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