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IRLL014N	文件：158.5 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014N	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014N	文件：1.03976 Mbytes Page：8 Pages	55VN-ChannelMOSFET Benefits VDS(V)=55V ID=2.0A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRLL014NPBF	文件：261.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTR	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTRPBF	文件：1.80269 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLL014NTRPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014PBF	文件：214.35 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014PBF	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRLL014-LF	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRLL014-LF	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRLL014-LF	IR	23+		7000		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRLL014MTR	IR	17+	SOT23	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	IRLL014MTR	IR	1923+	SOT23	5000	正品原裝品質(zhì)假一賠十	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IRLL014N	IR	9347		42	原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRLL014N	IR	12+	SOT-223	15000	全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
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