欧美日韩亚洲国产综合,久久午夜无码免费,国产日韩中文字幕

首頁 >IRLL014NHR>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRLL014NPBF	文件：261.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTR	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTRPBF	文件：1.80269 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLL014NTRPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014PBF	文件：214.35 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014PBF	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014PBF	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TR	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TRA	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TRPBF	文件：174.34 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TRPBF	文件：1.05605 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLL014TRPBFA	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL014TRPBFA	文件：170.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR014	文件：180.89 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR014	文件：2.16738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR014	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR014	文件：2.24711 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR014	文件：822.02 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRLR014,SiHLR014) ?Straightlead(IRLU014,SiHLU014) ?Availableintapeandreel ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR014A	文件：373.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRLL014NHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 55V 2.8A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRLL014NHR	IR	22+	Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-P	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRLL014NHR	IR	23+	Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-P	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市和悅電子貿(mào)易有限公司	IRLL014NHR	IR			14240		詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRLL014NHR	IR	23+	Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-P	7000		詢價
深圳市特萊科技有限公司	IRLL014NMOS	IR/INFINEON	24+23+	SOT223	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	IRLL014NMOS(場效應(yīng)管)	IR	21+	SOT-223	20000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRLL014NMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	SOT223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	IRLL014NMOS(場效應(yīng)管)	IR	24+	SOT-223	1731	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	IRLL014NMOS(場效應(yīng)管)	IR	2022	SOT223	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	IRLL014NMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	SOT223	28533	原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨誠信經(jīng)營價格美麗假一罰十!	詢價

更多IRLL014NHR供應(yīng)商更新時間2024-11-15 14:00:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存