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IRLS630A中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLS630A
廠商型號

IRLS630A

功能描述

Advanced Power MOSFET

文件大小

282.84 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 15:53:00

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IRLS630A規(guī)格書詳情

BVDSS = 200 V

RDS(on) = 0.4 Ω

ID = 6.5 A

FEATURES

● Logic-Level Gate Drive

● Avalanche Rugged Technology

● Rugged Gate Oxide Technology

● Lower Input Capacitance

● Improved Gate Charge

● Extended Safe Operating Area

● Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 200V

● Lower RDS(ON) : 0.335Ω (Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLS630A

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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