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IRLW530A中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRLW530A
廠商型號(hào)

IRLW530A

功能描述

ADVANCED POWER MOSFET

文件大小

273.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 19:56:00

IRLW530A規(guī)格書(shū)詳情

BVDSS = 100 V

RDS(on) = 0.12?

ID = 14 A

FEATURES

? Avalanche Rugged Technology

? Rugged Gate Oxide Technology

? Lower Input Capacitance

? Improved Gate Charge

? Extended Safe Operating Area

? 175°C Operating Temperature

? Lower Leakage Current: 10μA (Max.) @ VDS = 100V

? Lower RDS(ON): 0. 101? (Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLW530A

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    ADVANCED POWER MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
TO263
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