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IRLZ34PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?Logic-LevelGateDrive ?RDS(on)SpecifiedatVGS=4Van

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLZ34PBF

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?Logic-LevelGateDrive ?RDS(on)SpecifiedatVGS=4Vand5V ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromV

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLZ34PBF

Power MOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRLZ34PBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 60V 30 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
TO-220AB
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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原裝正品,假一罰十
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21+
TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多IRLZ34PBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 16:03:00

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