IRLZ44ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLZ44ZS規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
Logic Level
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLZ44ZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
23+ |
NA/ |
21750 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
2018+ |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | |||
IR |
2020+ |
D2-PAK |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!? |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
D2PAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-263 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
ir |
23+ |
NA |
1436 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) |
