首頁(yè)>IRS2101PBF>規(guī)格書(shū)詳情

IRS2101PBF集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRS2101PBF
廠商型號(hào)

IRS2101PBF

參數(shù)屬性

IRS2101PBF 封裝/外殼為8-DIP(0.300",7.62mm);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

功能描述

HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

封裝外殼

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

1.18959 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-11 13:30:00

IRS2101PBF規(guī)格書(shū)詳情

IRS2101PBF屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRS2101PBF柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The IRS2101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.

Features

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Fully operational to +600 V

? Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

? Gate drive supply range from 10 V to 20 V

? Undervoltage lockout

? 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible

? Matched propagation delay for both channels

? Outputs in phase with inputs

? RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRS2101PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    70ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
原裝正品現(xiàn)貨
10000
DIP
詢價(jià)
IR
23+
DIP8
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
IR
23+
NA/
3264
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢價(jià)
IR
22+
NA
30000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
Infineon
2021+
SOIC
57500
科研單位合格供應(yīng)商!現(xiàn)貨庫(kù)存
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
PDIP-8
3022
深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。
詢價(jià)
IR
2023+
8-DIP
50000
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
2020+
DIP
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)