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IRS2106S集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

IRS2106S
廠商型號(hào)

IRS2106S

參數(shù)屬性

IRS2106S 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

功能描述

HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

506.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-11 22:58:00

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IRS2106S規(guī)格書詳情

IRS2106S屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRS2106S柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The IRS2106/IRS21064 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. IRS2106 IRS21064 The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.

Features

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Fully operational to +600 V

? Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

? Gate drive supply range from 10 V to 20 V

? Undervoltage lockout for both channels

? 3.3 V, 5 V, and 15 V input logic compatible

? Matched propagation delay for both channels

? Logic and power ground +/- 5 V offset

? Lower di/dt gate driver for better noise immunity

? Outputs in phase with inputs (IRS2106)

? RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRS2106STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    100ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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