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IRS21850SPBF

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Description TheIRS21850isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTsinglehigh-sidedriverwithpropagationdelaymatchedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thefloatinglogicinputiscompatiblewithstandard

IRF

International Rectifier

IRS21850SPBF

SINGLE HIGH SIDE DRIVER IC

IRF

International Rectifier

IRS21850SPBF

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRS21850SPBF_15

SINGLE HIGH SIDE DRIVER IC

IRF

International Rectifier

IRS21850S

Gatedrivesupplyrangefrom10Vto20V

Description TheIRS21850isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTsinglehigh-sidedriverwithpropagationdelaymatchedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thefloatinglogicinputiscompatiblewithstandard

IRF

International Rectifier

IRS21850STRPBF

Gatedrivesupplyrangefrom10Vto20V

Description TheIRS21850isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTsinglehigh-sidedriverwithpropagationdelaymatchedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thefloatinglogicinputiscompatiblewithstandard

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRS21850SPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    高端

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    4A，4A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    15ns，15ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRS21850SPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-21 13:59:00

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