IS21ES08G集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS21ES08G |
參數(shù)屬性 | IS21ES08G 封裝/外殼為153-VFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA |
功能描述 | 8GB eMMC with eMMC 5.0 Interface With eMMC 5.0 Interface |
文件大小 |
1.77336 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
39 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-6 18:26:00 |
IS21ES08G規(guī)格書詳情
IS21ES08G屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS21ES08G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IS21ES08GA-JCLI-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
FLASH - NAND(MLC)
- 存儲容量:
64Gb(8G x 8)
- 存儲器接口:
eMMC
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
153-VFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
153-VFBGA(11.5x13)
- 描述:
IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國芯成) |
23+ |
VFBGA153(11.5x13) |
6000 |
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詢價 | ||
ISSI |
22+ |
FBGA153 |
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ISSI(美國芯成) |
2021+ |
VFBGA-153(11.5x13) |
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ISSI |
22+ |
FBGA153 |
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