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IS21ES08G集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS21ES08G
廠商型號

IS21ES08G

參數(shù)屬性

IS21ES08G 封裝/外殼為153-VFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

功能描述

8GB eMMC with eMMC 5.0 Interface With eMMC 5.0 Interface
IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

文件大小

1.77336 Mbytes

頁面數(shù)量

39

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-6 18:26:00

IS21ES08G規(guī)格書詳情

IS21ES08G屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS21ES08G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS21ES08GA-JCLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(MLC)

  • 存儲容量:

    64Gb(8G x 8)

  • 存儲器接口:

    eMMC

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    153-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    153-VFBGA(11.5x13)

  • 描述:

    IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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