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IS41LV16100B-50T集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IS41LV16100B-50T |
| 參數(shù)屬性 | IS41LV16100B-50T 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II |
| 功能描述 | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 封裝外殼 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） |
| 文件大小 |
143.69 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
22 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-19 17:49:00 |
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IS41LV16100B-50T規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.
FEATURES
? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O
? Refresh Interval:
— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms
— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
? JEDEC standard pinout
? Single power supply: 3.3V ± 10
? Byte Write and Byte Read operation via two CAS
? Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS41LV16100B-50TLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
DRAM - EDO
- 存儲(chǔ)容量：
16Mb（1M x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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