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IS41LV16100B集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS41LV16100B
廠商型號

IS41LV16100B
參數(shù)屬性

IS41LV16100B 封裝/外殼為42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
文件大小

143.69 Kbytes
頁面數(shù)量

22 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-3 15:54:00

IS41LV16100B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

? Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply: 3.3V ± 10

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS41LV16100B-50KLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    DRAM - EDO

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    42-SOJ

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI
23+
TSOP
9200
絕對現(xiàn)貨庫存
 詢價
ISSI
SOJ42
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
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21+
ISSI
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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ISSI
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ISSI
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TSOP
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原裝正品,假一罰十
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ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
44TSOP II
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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專營ISSI進口原裝現(xiàn)貨可開17增值稅票
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ISSI
22+
TSOP44
234
原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303
 詢價

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