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IS41LV16105B-60T集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS41LV16105B-60T |
參數(shù)屬性 | IS41LV16105B-60T 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II |
功能描述 | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
文件大小 |
131.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-23 10:18:00 |
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IS41LV16105B-60T規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV16105B ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.
FEATURES
? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O
? Refresh Interval:
— 1,024 cycles/16 ms
? Refresh Mode:
— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
? JEDEC standard pinout
? Single power supply: 3.3V ± 10
? Byte Write and Byte Read operation via two CAS
? Extended Temperature Range: -30oC to +85oC
? Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IS41LV16105B-60TLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
DRAM - FP
- 存儲容量:
16Mb(1M x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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