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IS41LV16256B-35T

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16256Bis262,144x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory.BothproductsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode.EDOPageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrit

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS41LV16256B-35TL

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16256Bis262,144x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory.BothproductsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode.EDOPageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrit

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS41LV16256B-35K

256Kx16(4-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS41LV16256B-35KL

256Kx16(4-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16256Bis262,144x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory.BothproductsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode.EDOPageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrit

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IS41LV16256B-35T

  • 功能描述：

    動態(tài)隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    16 bit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 封裝/箱體：

    SOJ-42

  • 存儲容量：

    16 MB

  • 訪問時間：

    50 ns

  • 電源電壓-最大：

    7 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    - 1 V

  • 最大工作電流：

    90 mA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS41LV16256B-35T供應商 更新時間2025-1-20 14:51:00

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