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IS42S16400D-7TI

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7TI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

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IS42S16400D-7TI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

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IS42S16400D-7BL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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IS42S16400D-7BLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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IS42S16400D-7T

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S16400D-7TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400D-7TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas4,096rowsby256columnsb

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42S16400D-7TI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    64Mb（4M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    54-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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54-TSOPII
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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原裝正品現(xiàn)貨
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更多IS42S16400D-7TI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-1 17:10:00

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