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IS42S16400J-6BLI-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:54-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS42S16400J-6BL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16400J-6BLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16400J-6TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400J-6TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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IS42S16400J-6TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS42S16400J-6BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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