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IS42S32200E-5TL

512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS42S32200E-5TL

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32200E-5TL-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32200E-5BL

512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS42S32200E-5TL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    64Mb（2M x 32）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    86-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS42S32200E-5TL供應商 更新時間2025-1-1 8:30:00

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