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IS42S32400E-7BI中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS42S32400E-7BI
廠商型號

IS42S32400E-7BI

功能描述

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件大小

895.21 Kbytes

頁面數(shù)量

60

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-18 17:19:00

IS42S32400E-7BI規(guī)格書詳情

OVERVIEW

ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks.

FEATURES

? Clock frequency: 166, 143, 133 MHz

? Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge

? Internal bank for hiding row access/precharge

? Single Power supply: 3.3V + 0.3V

? LVTTL interface

? Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page)

? Programmable burst sequence: Sequential/Interleave

? Auto Refresh (CBR)

? Self Refresh

? 4096 refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade)

? Random column address every clock cycle

? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

? Burst read/write and burst read/single write operations capability

? Burst termination by burst stop and precharge command

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS42S32400E-7BI

  • 功能描述:

    動態(tài)隨機存取存儲器 128M(4Mx32) 143MHz Industrial Temp

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    16 bit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 封裝/箱體:

    SOJ-42

  • 存儲容量:

    16 MB

  • 訪問時間:

    50 ns

  • 電源電壓-最大:

    7 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    - 1 V

  • 最大工作電流:

    90 mA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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