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IS42S81600D-6TL

16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES ?Clockfrequency:166,143,133MHz ?Fullysynchronous;allsignal

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S81600D-6TL

包裝：托盤 封裝/外殼：54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S81600D-6TL-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S81600D-6T

16Megx8,8Megx16128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES ?Clockfrequency:166,143,133MHz ?Fullysynchronous;allsignal

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS42S81600D-6TL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    128Mb（16M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    54-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS42S81600D-6TL供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 19:10:00

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