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IS42S81600E-7TLI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS42S81600E-7TLI
廠商型號

IS42S81600E-7TLI

參數(shù)屬性

IS42S81600E-7TLI 封裝/外殼為54-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

功能描述

16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

文件大小

934.55 Kbytes

頁面數(shù)量

61

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-18 22:58:00

IS42S81600E-7TLI規(guī)格書詳情

IS42S81600E-7TLI屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS42S81600E-7TLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S81600E-7TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    128Mb(16M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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