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IS42SM

1M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

Description TheseIS42SM/RM/VM16400Karemobile67,108,864bitsCMOSSynchronousDRAMorganizedas4banksof1,048,567wordsx16bits.Theseproductsareofferingfullysynchronousoperationandarereferencedtoapositiveedgeoftheclock.Allinputsandoutputsaresynchronizedwiththeris

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM81600E

128Mb Mobile Synchronous DRAM

DESCRIPTION ISSIs128MbMobileSynchronousDRAMachieveshighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputandoutputsignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.BothwriteandreadaccessestotheSDRAMareburstoriented.The128MbMobileSynchronousDRAMisdesignedtomi

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IS42SM16200C

1M x16Bits x2Banks Low Power Synchronous DRAM

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IS42SM16200D

Auto refresh and self refresh

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42SM16200D-6BLI

1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

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IS42SM16200D-75BLI

1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

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IS42SM16400G

1M x 16Bits x 4Banks Low Power Synchronous DRAM

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IS42SM16800F

Auto refresh and self refresh

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM16800F-75BLI

Auto refresh and self refresh

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM16800G-6BLI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

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IS42SM16800G-75BI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42SM16800G-75BLI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM16800H-6BLI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM16800H-75BI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM16800H-75BLI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM32100C

512K x32Bits x2Banks Low Power Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM32100D

Auto refresh and self refresh

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM32100D-6BLI

512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42SM32100D-75BLI

512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

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IS42SM32160C

512Mb Mobile Synchronous DRAM

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IS42SM

  • 功能描述:

    動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M(16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    16 bit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 封裝/箱體:

    SOJ-42

  • 存儲容量:

    16 MB

  • 訪問時間:

    50 ns

  • 電源電壓-最大:

    7 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    - 1 V

  • 最大工作電流:

    90 mA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
09+
BGA
2890
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢
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ISSI
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20000
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
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ISSI
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16M8MobileSDRAM
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ISSI
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
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更多IS42SM供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 20:41:00