IS42VM16160E-6BLI-TR 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

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廠家型號：
IS42VM16160E-6BLI-TR
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ISSI/北京矽成
庫存數(shù)量：
7300
產(chǎn)品封裝：
54-TFBGA8x8
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-11-18 11:00:00

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原廠料號：IS42VM16160E-6BLI-TR品牌：ISSI, Integrated Silicon Solu

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IS42VM16160E-6BLI-TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI, Integrated Silicon Solu/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝54-TFBGA8x8/54-TFBGA的IS42VM16160E-6BLI-TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
IS42VM16160E-6BLI-TR
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
ISSI【北京矽成】詳情
廠商全稱：
Integrated Silicon Solution Inc
中文名稱：
北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IS42VM16160E-6BLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術(shù)：
SDRAM - 移動
存儲容量：
256Mb（16M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
54-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
54-TFBGA（8x8）
描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市安富世紀電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
趙妍
手機：
18100277303
詢價：
電話：
0755-23991454
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17E

IS42VM16160E-6BLI-TR 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS42VM16160E-6BLI-TR

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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