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IS42VM16800G-6BLI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS42VM16800G-6BLI
廠商型號

IS42VM16800G-6BLI

參數(shù)屬性

IS42VM16800G-6BLI 封裝/外殼為54-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

功能描述

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

文件大小

470.82 Kbytes

頁面數(shù)量

33

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-18 17:08:00

IS42VM16800G-6BLI規(guī)格書詳情

IS42VM16800G-6BLI屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS42VM16800G-6BLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS42VM16800G-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - 移動

  • 存儲容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI Integrated Silicon Soluti
23+/24+
54-TFBGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
ISSI
24+
BGA-54
16000
原裝優(yōu)勢絕對有貨
詢價
ISSI Integrated Silicon Soluti
21+
54TFBGA
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
54TFBGA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ISSI
1716+
?
8450
只做原裝進口,假一罰十
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ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
54-TFBGA(8x8)
56200
一級代理/放心采購
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ISSI
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
54-TFBGA8x8
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
54-TFBGA8x8
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ISSI
23+
BGA
4500
ISSI存儲芯片在售
詢價