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IS42VM16800G集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS42VM16800G
廠商型號

IS42VM16800G

參數(shù)屬性

IS42VM16800G 封裝/外殼為54-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

功能描述

Auto refresh and self refresh
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

文件大小

470.82 Kbytes

頁面數(shù)量

33

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-18 17:08:00

IS42VM16800G規(guī)格書詳情

IS42VM16800G屬于集成電路(IC) > 存儲器。北京矽成半導體有限公司制造生產(chǎn)的IS42VM16800G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IS42VM16800G-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - 移動

  • 存儲容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI Integrated Silicon Soluti
23+/24+
54-TFBGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
ISSI
24+
BGA-54
16000
原裝優(yōu)勢絕對有貨
詢價
ISSI Integrated Silicon Soluti
21+
54TFBGA
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
54TFBGA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
ISSI
1716+
?
8450
只做原裝進口,假一罰十
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
54-TFBGA(8x8)
56200
一級代理/放心采購
詢價
ISSI
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
54-TFBGA8x8
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
54-TFBGA8x8
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ISSI
23+
原裝正品現(xiàn)貨
10000
BGA
詢價