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IS43DR16640B-3DBL

包裝:托盤 封裝/外殼:84-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-3DBLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:84-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640B-3DBL-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:84-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43DR16640B-3DBL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    84-TWBGA(8x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS43DR16640B-3DBL供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 15:22:00