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IS43DR86400B

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400B-25DBI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400B-25DBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400B-25EBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400B-37CBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400B-3DBL

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400B-3DBLI

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400

512Mb(x8,x16)DDR2SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400

Clockfrequencyupto400MHz

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR86400C

64Mx8,32Mx16DDR2DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS43DR86400D

Differentialdatastrobe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IS43DR86400B

  • 功能描述：

    動態(tài)隨機存取存儲器 512M(64Mx8) 333Mhz DDR2 1.8v

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    16 bit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 封裝/箱體：

    SOJ-42

  • 存儲容量：

    16 MB

  • 訪問時間：

    50 ns

  • 電源電壓-最大：

    7 V

  • 電源電壓-最小：

    - 1 V

  • 最大工作電流：

    90 mA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
23+
60-TWBGA(10x10.5)
1389
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
 詢價
ISSI
2022
BGA
2550
原廠原裝正品,價格超越代理
 詢價
ISSI
23+
PLCC
20000
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
 詢價
ISSI
2020+
BGA
950
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ISSI
1645+
?
8450
只做原裝進口,假一罰十
 詢價
ISSI
2021+
BGA
5950
原裝正品假一罰十
 詢價
ISSI
2018+
BGA
30617
主打ISSI品牌價格絕對優(yōu)勢
 詢價
ISSI
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FBGA
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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ISSI
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BGA60
6528
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
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ISSI
23+
BGA
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
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更多IS43DR86400B供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 17:21:00

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