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IS43DR86400E-3DBL 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

IS43DR86400E-3DBL參考圖片

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原廠料號(hào)：IS43DR86400E-3DBL品牌：ISSI

全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷

IS43DR86400E-3DBL是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝原廠原包裝/60-TFBGA的IS43DR86400E-3DBL存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    IS43DR86400E-3DBL

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43DR86400E-3DBL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TWBGA（8x10.5）

  • 描述：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機(jī)：

    13682380609

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)賽格電子市場(chǎng)69樓6904B-6905A室

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