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IS43DR86400E-3DBLI-TR 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

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  • 廠家型號(hào)：

    IS43DR86400E-3DBLI-TR

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ISSI/北京矽成

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-1 16:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IS43DR86400E-3DBLI-TR品牌：ISSI,

原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開(kāi)票!

  • 芯片型號(hào)：

    IS43DR86400E-3DBLI-TR

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱(chēng)：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43DR86400E-3DBLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TWBGA（8x10.5）

  • 描述：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市冠億通科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳小姐

  • 手機(jī)：

    18902317970

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82578328/15697351502/15820786907

  • 傳真：

    0755-82578318

  • 地址：

    深圳市福田中航路都會(huì)100大廈B座10Q

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