IS43LD32320C-18BLI_集成電路(IC) 存儲器-北京矽成

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171+
  • 廠家型號:

    IS43LD32320C-18BLI

  • 制造商:

    ISSI/北京矽成

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    134-TFBGA

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2024-11-6 14:02:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號:IS43LD32320C-18BLI品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

IS43LD32320C-18BLI是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝134-TFBGA的IS43LD32320C-18BLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    is43ld32320c-18bli

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱:

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43LD32320C-18BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

  • 存儲容量:

    1Gb(32M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.14V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    134-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    134-TFBGA(10x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI/矽成
21+
SOP
7000
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
詢價
ISSI
24+
N/A
10000
只做原裝,實單最低價支持
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ISSI
24+
TFBGA
18500
全網(wǎng)低價,原裝原包
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ISSI
2018+
SMD
15600
動態(tài)隨機存取存儲器1G32Mx32533MHzLPDDR21.2/1.8V
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ISSI
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
詢價
ISSI/矽成
1746
LPDDR2MOBILE/32MX32LPDDR
717
原裝香港現(xiàn)貨真實庫存。低價
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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