IS43LR16400C-6BLI 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 ISSI/北京矽成

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原廠料號(hào):IS43LR16400C-6BLI品牌:ISSI(美國(guó)芯成)

IS43LR16400C-6BLI是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI(美國(guó)芯成)/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝TFBGA-60(8x10)/60-TFBGA的IS43LR16400C-6BLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào):

    IS43LR16400C-6BLI

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱(chēng):

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS43LR16400C-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - 移動(dòng) LPDDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-TFBGA(8x10)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    王小姐/柯先生/陳先生

  • 手機(jī):

    13510737511/13764028118

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話:

    0755-83776888

  • 傳真:

    0755-83211476

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富街道華強(qiáng)北都會(huì)B座12X ,上海黃浦北京東路668號(hào)科技京城西樓