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IS43LR16640A集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
IS43LR16640A |
| 參數(shù)屬性 | IS43LR16640A 封裝/外殼為60-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA |
| 功能描述 | Four internal banks for concurrent operation |
| 文件大小 |
1.85788 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
43 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-17 22:59:00 |
IS43LR16640A規(guī)格書詳情
IS43LR16640A屬于集成電路（IC） > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS43LR16640A存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IS43LR16640A-5BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM - 移動 LPDDR
- 存儲容量：
1Gb（64M x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
15ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
60-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
60-TWBGA（8x10）
- 描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國芯成) |
23+ |
TWBGA60(8x10) |
7350 |
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ISSI |
23+ |
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ISSI |
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* |
10 |
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ISSI(美國芯成) |
1921+ |
TWBGA-60(8x10) |
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ISSI |
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詢價(jià) |
