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IS43LR16800F

DM for write masking only

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43LR16800F-6BLI

2M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43LR16800F-6BLI

Package：60-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16800F-6BLI-TR

Package：60-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16800F-6BL-TR

Package：60-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16800G

DMforwritemaskingonly

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IS43LR16800F

  • 功能描述：

    動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M(8Mx16) 166MHz Mobile DDR 1.8v

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    16 bit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 封裝/箱體：

    SOJ-42

  • 存儲(chǔ)容量：

    16 MB

  • 訪問時(shí)間：

    50 ns

  • 電源電壓-最大：

    7 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    - 1 V

  • 最大工作電流：

    90 mA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI
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專營(yíng)ISSI進(jìn)口原裝正品假一賠十可開17增值稅票
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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ISSI(美國(guó)芯成)
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BGA
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更多IS43LR16800F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 18:44:00

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