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IS43LR32160B

4M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43LR32160B-6BLI

Package:90-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32160B-6BLI-TR

Package:90-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS43LR32160B-6BL-TR

Package:90-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32160C

4Mx32Bitsx4BanksMobileDDRSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IS43LR32160B

  • 功能描述:

    動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    16 bit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 封裝/箱體:

    SOJ-42

  • 存儲容量:

    16 MB

  • 訪問時間:

    50 ns

  • 電源電壓-最大:

    7 V

  • 電源電壓-最小:

    - 1 V

  • 最大工作電流:

    90 mA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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90-FBGA(8x13)
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更多IS43LR32160B供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 16:30:00