IS43LR32800G-6BL_集成電路(IC) 存儲器-北京矽成

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原廠料號:IS43LR32800G-6BL品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

IS43LR32800G-6BL是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI/北京矽成生產封裝90-TFBGA的IS43LR32800G-6BL存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    is43lr32800g-6bl

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  • 企業(yè)簡稱:

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱:

    北京矽成半導體有限公司

  • 資料說明:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    IS43LR32800G-6BL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術:

    SDRAM - 移動 LPDDR

  • 存儲容量:

    256Mb(8M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    90-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

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