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IS43R16160D-5BLI

8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43R16160D-5BLI

包裝：托盤 封裝/外殼：60-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-5BLI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：60-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-5BI

8Mx32,16Mx16,32Mx8256MbDDRSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43R16160D-5BL

8Mx32,16Mx16,32Mx8256MbDDRSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43R16160D-5TL

8Mx32,16Mx16,32Mx8256MbDDRSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43R16160D-5TLI

8Mx32,16Mx16,32Mx8256MbDDRSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43R16160D-5BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR

  • 存儲容量：

    256Mb（16M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IS43R16160D-5BLI供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 9:30:00

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