IS43R16320E-6BLI 集成電路（IC）存儲器 ISSIINTEGRATEDSILICONSOLUTIONI

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廠家型號：
IS43R16320E-6BLI
產(chǎn)品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產(chǎn)廠商：
ISSIINTEGRATEDSILICONSOLUTIONI
庫存數(shù)量：
100500
產(chǎn)品封裝：
SMD
生產(chǎn)批號：
2021+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-4 15:00:00

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原廠料號：IS43R16320E-6BLI品牌：ISSIINTEGRATEDSILICONSOLUTIONI

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IS43R16320E-6BLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSIINTEGRATEDSILICONSOLUTIONI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝SMD/60-TFBGA的IS43R16320E-6BLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
IS43R16320E-6BLI
規(guī)格書：
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產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IS43R16320E-6BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術(shù)：
SDRAM - DDR
存儲容量：
512Mb（32M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
15ns
電壓 - 供電：
2.3V ~ 2.7V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
60-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商

企業(yè)：
艾睿國際（香港）有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
蔡小姐
手機(jī)：
15813737183
詢價：
電話：
15813737183
地址：
香港上環(huán)永樂街121-125號永達(dá)商業(yè)大廈3樓A室

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