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IS43R83200F集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS43R83200F |
參數(shù)屬性 | IS43R83200F 封裝/外殼為66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
功能描述 | Auto Precharge |
封裝外殼 | 66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm) |
文件大小 |
1.11874 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
32 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-1 11:09:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IS43R83200F-5TL-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR
- 存儲容量:
256Mb(32M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
2.3V ~ 2.7V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
66-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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