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IS43TR16128B集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS43TR16128B |
參數(shù)屬性 | IS43TR16128B 封裝/外殼為96-TFBGA;包裝為散裝;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
功能描述 | Programmable CAS Latency |
文件大小 |
3.85869 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
88 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-1 21:22:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IS43TR16128B-093NBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包裝:
散裝
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR3
- 存儲容量:
2Gb(128M x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
1.425V ~ 1.575V
- 工作溫度:
-40°C ~ 95°C(TC)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
96-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
96-TWBGA(9x13)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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