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IS43TR16256A-107MBLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：96-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256A-107MBL

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256A-107MBLI

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS43TR16256A-107MBLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR3

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Gb（256M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 95°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    96-TWBGA（9x13）

  • 描述：

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
64-LBGA
5280
進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
96-TWBGA9x13
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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ISSI Integrated Silicon Soluti
23+/24+
96-TFBGA
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ISSI Integrated Silicon Solut
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更多IS43TR16256A-107MBLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 8:01:00

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