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IS43TR16640A-125JBLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS43TR16640A-125JBLI參考圖片

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原廠料號：IS43TR16640A-125JBLI品牌：ISSI

專營ISSI進(jìn)口原裝正品假一賠十可開17增值稅票

IS43TR16640A-125JBLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝BGA96/96-TFBGA的IS43TR16640A-125JBLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS43TR16640A-125JBLI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1G, 1.5V,(64M x 16) DDR3

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43TR16640A-125JBLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR3

  • 存儲容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 95°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    96-TWBGA（9x13）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅先生,張先生,吳小姐

  • 手機(jī)：

    13760152475/18998940267

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83978748/0755-23611964

  • 傳真：

    0755-83268395

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路109號華康大院2棟2層216-1

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