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IS43TR82560DL-125KBLI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:78-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560DL-125KBLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:78-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560DL-125KBL-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:78-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR82560B

ProgrammableCASLatency

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR82560BL

ProgrammableCASLatency

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR82560C

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR82560CL

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43TR82560DL-125KBLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3L

  • 存儲容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    78-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    78-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS43TR82560DL供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 16:30:00