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IS45S32800J-6TLA1集成電路（IC）存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS45S32800J-6TLA1
廠(chǎng)商型號(hào)

IS45S32800J-6TLA1
參數(shù)屬性

IS45S32800J-6TLA1 封裝/外殼為86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
功能描述

Internal bank for hiding row access/precharge
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
文件大小

1.04664 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

60 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISSI【北京矽成】

中文名稱(chēng)

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠(chǎng)下載下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2024-11-8 23:00:00

IS45S32800J-6TLA1規(guī)格書(shū)詳情

IS45S32800J-6TLA1屬于集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS45S32800J-6TLA1存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線(xiàn)、SPI、UFS、Xccela 總線(xiàn)和 1-線(xiàn)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS45S32800J-6TLA1

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Mb（32M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    86-TFSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    86-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
23+
TSOP8610.2mm
7350
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