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IS46TR16256AL-125KBLA1

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS46TR16256AL-125KBLA1

包裝:托盤 封裝/外殼:96-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS46TR16256AL-125KBLA1-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:96-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS46TR16256AL-125KBLA1

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術:

    SDRAM - DDR3L

  • 存儲容量:

    4Gb(256M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    96-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS46TR16256AL-125KBLA1供應商 更新時間2024-11-6 16:36:00