IS61DDB21M18C-250M3L_集成電路(IC) 存儲器-ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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  • 廠家型號:

    IS61DDB21M18C-250M3L

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    165-LBGA

  • 包裝:

    托盤

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2024-12-23 13:45:00

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原廠料號:IS61DDB21M18C-250M3L品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

IS61DDB21M18C-250M3L是集成電路(IC) > 存儲器。制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產封裝165-LBGA的IS61DDB21M18C-250M3L存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    is61ddb21m18c-250m3l

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  • 資料說明:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    IS61DDB21M18C-250M3L

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存儲容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應商器件封裝:

    165-LFBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

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